TUSB212IRWBR 3.6-V, 3-A
TUSB212IRWBR 3.6-V, 3-A
TPS22925 এর বৈশিষ্ট্য
●ইনপুট ভোল্টেজ পরিসীমা: 0.65 V থেকে 3.6 V
●অন-প্রতিরোধ
○ আরONV এ = 9.2 mΩIN= 3.6 ভি
○ আরONV এ = 9.2 mΩIN= 1.8 V
○ আরONV এ = 10.2 mΩIN= 1 ভি
○ আরONV এ = 13.1 mΩIN= 0.65 ভি
●3-একটি সর্বোচ্চ একটানা সুইচ কারেন্ট
● শান্ত স্রোত, আইপ্রশ্ন, ভিআইএনV এ = 29 µAIN= 3.6 ভি
●নিম্ন নিয়ন্ত্রণ ইনপুট থ্রেশহোল্ড 1.5-, 1.8-, 2.5-, বা 3.3-V লজিক সক্ষম করে
● নিয়ন্ত্রিত একাধিক হার
○tRV এ = 97 µsIN = 3.6 V (TPS22925Bx)
○tRV এ = 810 µsIN= 3.6 V (TPS22925Cx)
● বিপরীত বর্তমান ব্লকিং (যখন নিষ্ক্রিয় করা হয়)
● দ্রুত আউটপুট ডিসচার্জ (QOD) (শুধুমাত্র TPS22925B এবং TPS22925C)
● ওয়েফার চিপ স্কেল প্যাকেজ:
○0.9 মিমি × 1.4 মিমি, 0.5-মিমি পিচ, 0.4-মিমি উচ্চতা
●ESD পারফরম্যান্স পরীক্ষিত প্রতি JESD 22
○2-kV HBM এবং 1-kV CDM
TPS22925-এর বিবরণ
TPS22925 পণ্য পরিবার চারটি ডিভাইস নিয়ে গঠিত: TPS22925B, TPS22925BN, TPS22925C, এবং TPS22925CN।প্রতিটি ডিভাইস হল একটি 9-mΩ, একক-চ্যানেল লোড সুইচ যার একটি নিয়ন্ত্রিত একাধিক হার।
ডিভাইসগুলিতে একটি N-চ্যানেল MOSFET রয়েছে যা 0.65 V থেকে 3.6 V এর একটি ইনপুট ভোল্টেজ পরিসরে কাজ করতে পারে এবং 3 A-এর সর্বাধিক অবিচ্ছিন্ন কারেন্ট সমর্থন করতে পারে৷ এই অবিচ্ছিন্ন কারেন্ট ডিভাইসগুলিকে একাধিক ডিজাইন এবং শেষ সরঞ্জামগুলিতে ব্যবহার করতে সক্ষম করে৷TPS22925 ডিভাইসগুলির প্রত্যেকটি বিদ্যুৎ সরবরাহ সুরক্ষা এবং পাওয়ার মাল্টিপ্লেক্সিং ক্ষমতার জন্য অক্ষম করার সময় বিপরীত কারেন্ট ব্লকিং প্রদান করে।
ডিভাইসের নিয়ন্ত্রিত উত্থান সময় বৃহৎ বাল্ক লোড ক্যাপ্যাসিট্যান্সের কারণে সৃষ্ট ইনরাশ কারেন্টকে ব্যাপকভাবে হ্রাস করে, যার ফলে পাওয়ার সাপ্লাই ড্রপ হ্রাস বা দূর হয়।3.6 V এর ইনপুট ভোল্টেজের সাথে কাজ করার সময়, TPS22925Bx ডিভাইসে 97 µs বৃদ্ধির সময় এবং TPS22925Cx ডিভাইসে 810 µs বৃদ্ধির সময় বৈশিষ্ট্যযুক্ত।
TPS22925 ফ্যামিলি ফ্যামিলি ডিভাইসগুলি একটি ঐচ্ছিক ইন্টিগ্রেটেড, 150-Ω পুল-ডাউন রেসিস্টর অফার করে দ্রুত আউটপুট ডিসচার্জ (QOD) করার মাধ্যমে মোট সমাধানের আকার কমাতে সাহায্য করতে পারে যখন সুইচটি বন্ধ থাকে।TPS22925 ডিভাইসগুলির প্রতিটি একটি 0.9 মিমি × 1.4 মিমি, 0.5-মিমি পিচ, 0.4-মিমি উচ্চতা 6-পিন ওয়েফার চিপ স্কেল প্যাকেজ (WCSP) এ পাওয়া যায় যা ছোট, আরও সমন্বিত ডিজাইনের জন্য অনুমতি দেয়।WCSP এবং 9 mΩ অন-রেজিস্ট্যান্স স্থান সীমাবদ্ধ, ব্যাটারি চালিত অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহারের অনুমতি দেয়।ডিভাইসটি -40°C থেকে +105°C পর্যন্ত মুক্ত-বাতাসের তাপমাত্রার পরিসরে অপারেশনের জন্য চিহ্নিত করা হয়েছে।
1. আপনার গবেষণা ও উন্নয়ন বিভাগের কর্মীরা কারা?আপনার যোগ্যতা কি?
-আর ও ডি পরিচালক: কোম্পানির দীর্ঘমেয়াদী গবেষণা ও উন্নয়ন পরিকল্পনা প্রণয়ন করুন এবং গবেষণা ও উন্নয়নের দিকটি উপলব্ধি করুন;কোম্পানির গবেষণা ও উন্নয়ন কৌশল এবং বার্ষিক গবেষণা ও উন্নয়ন পরিকল্পনা বাস্তবায়নের জন্য গবেষণা ও তত্ত্বাবধান;পণ্য উন্নয়নের অগ্রগতি নিয়ন্ত্রণ এবং পরিকল্পনা সমন্বয়;চমৎকার পণ্য গবেষণা এবং উন্নয়ন দল, অডিট এবং প্রশিক্ষণ সম্পর্কিত প্রযুক্তিগত কর্মীদের সেট আপ করুন।
R & D ম্যানেজার: নতুন পণ্য R & D পরিকল্পনা তৈরি করুন এবং পরিকল্পনার সম্ভাব্যতা প্রদর্শন করুন;গবেষণা ও উন্নয়ন কাজের অগ্রগতি এবং গুণমান তত্ত্বাবধান ও পরিচালনা করা;নতুন পণ্য উন্নয়ন গবেষণা এবং বিভিন্ন ক্ষেত্রে গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী কার্যকর সমাধান প্রস্তাব
গবেষণা ও উন্নয়ন কর্মীরা: মূল তথ্য সংগ্রহ এবং সাজান;কম্পিউটার প্রোগ্রামিং;পরীক্ষা, পরীক্ষা এবং বিশ্লেষণ পরিচালনা;পরীক্ষা, পরীক্ষা এবং বিশ্লেষণের জন্য উপকরণ এবং সরঞ্জাম প্রস্তুত করুন;পরিমাপের ডেটা রেকর্ড করুন, গণনা করুন এবং চার্ট প্রস্তুত করুন;পরিসংখ্যানগত জরিপ পরিচালনা করুন
2. আপনার পণ্য গবেষণা এবং উন্নয়ন ধারণা কি?
- পণ্যের ধারণা এবং নির্বাচন পণ্যের ধারণা এবং মূল্যায়ন পণ্যের সংজ্ঞা এবং প্রকল্প পরিকল্পনা নকশা এবং উন্নয়ন পণ্য পরীক্ষা এবং বৈধতা বাজারে লঞ্চ
